氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410061738.5

申请日：

2004-06-30

公开(公告)号：

CN1577767A

公开(公告)日：

2005-02-09

发明(设计)人：

前川慎志挂端哲弥竹原裕一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

H01L21311 G02F1136 H05B3300 G09F930

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-02-09	公开	公开
2009-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化硅膜和半导体器件的制造方法 [P].

刘建强 ;

刘金涛 ;

闫峰 ;

侯文荣 .

中国专利 :CN110120343A ,2019-08-13

[2]

用于半导体器件应用的氮化硅膜 [P].

基思·福克斯 ;

牛冬 ;

约瑟夫·L·沃马克 ;

曼迪亚姆·斯利拉姆 ;

乔治·安德鲁·安东内利 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

詹妮弗·欧洛克林 .

中国专利 :CN104220637A ,2014-12-17

[3]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520A ,2024-05-03

[4]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520B ,2024-06-21

[5]

氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法 [P].

中西敏雄 ;

片山大介 .

中国专利 :CN107507774A ,2017-12-22

[6]

氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法 [P].

李彬 ;

李志华 ;

谢玲 ;

唐波 ;

张鹏 ;

杨妍 ;

刘若男 .

中国专利 :CN112680715B ,2021-04-20

[7]

多层氮化硅膜 [P].

李世远 ;

金武性 ;

李彰原 ;

雷新建 .

美国专利 :CN118475717A ,2024-08-09

[8]

氮化硅膜的制造方法 [P].

王湘莹 ;

杨能辉 ;

林焕顺 .

中国专利 :CN1828848A ,2006-09-06

[9]

氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜 [P].

安藤优汰 ;

猪狩晃 ;

森本直树 .

日本专利 :CN116802336B ,2025-11-21

[10]

形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

住吉和英 ;

冈田政也 ;

井上和孝 ;

米村卓巳 .

中国专利 :CN112447536A ,2021-03-05

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