包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810714161.5

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN108922846A

公开(公告)日：

2018-11-30

发明(设计)人：

熊文娟李俊峰贺晓彬蒋浩杰胡彦鹏王桂磊杨涛亨利·H·阿达姆松王文武

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B81B702

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

韩建伟;霍文娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180629
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20181130
2018-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅层的制备方法及半导体器件 [P].

许浩宁 ;

李进一 .

中国专利 :CN118610074A ,2024-09-06

[2]

氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法 [P].

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107403725A ,2017-11-28

[3]

用于半导体器件的多层氮化硅沉积 [P].

库尔特·H·琼克 ;

保罗·A·格鲁德斯基 ;

薄向征 ;

骆典应 .

中国专利 :CN101584030A ,2009-11-18

[4]

处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法 [P].

V·C·韦内齐亚 ;

F·N·库贝尼斯 .

中国专利 :CN1612306A ,2005-05-04

[5]

包括氮化层的半导体器件 [P].

井上真雄 ;

寺本章伸 ;

土本淳一 .

中国专利 :CN1476103A ,2004-02-18

[6]

形成双应力氮化硅层的方法及半导体器件 [P].

张瑜 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN118263108A ,2024-06-28

[7]

形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

住吉和英 ;

冈田政也 ;

井上和孝 ;

米村卓巳 .

中国专利 :CN112447536A ,2021-03-05

[8]

包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法 [P].

房骏 ;

王菲 ;

S·拉托德 ;

R·纳鲁卡尔 ;

M·帕克 ;

M·J·金 .

中国专利 :CN109427795A ,2019-03-05

[9]

半导体器件的制作方法 [P].

令海阳 .

中国专利 :CN110137133A ,2019-08-16

[10]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

← 1 2 3 4 5 →