包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810959506.3

申请日：

2018-08-22

公开(公告)号：

CN109427795A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

房骏王菲 S·拉托德 R·纳鲁卡尔 M·帕克 M·J·金

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711551 H01L2920 H01L29207

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	公开	公开
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20180822

共 50 条

[1]

氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

山形荣人 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

宝槻直十 .

日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03

[2]

氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法 [P].

李殷廷 ;

金东盱 ;

白国斌 ;

高建峰 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114628254A ,2022-06-14

[3]

形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体 [P].

苏密特·C·潘迪 ;

布伦达·D·克劳斯 ;

斯特凡·乌伦布罗克 ;

约翰·A·斯迈思 ;

蒂莫西·A·奎克 .

中国专利 :CN115458401A ,2022-12-09

[4]

形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体 [P].

苏密特·C·潘迪 ;

布伦达·D·克劳斯 ;

斯特凡·乌伦布罗克 ;

约翰·A·斯迈思 ;

蒂莫西·A·奎克 .

中国专利 :CN107731659A ,2018-02-23

[5]

原子层沉积氮化硅膜的原位碳和氧掺杂 [P].

V·恩古耶 ;

M·巴尔塞努 ;

N·李 ;

S·D·马库斯 ;

M·沙立 ;

D·汤普森 ;

L-Q·夏 .

中国专利 :CN104900513A ,2015-09-09

[6]

包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件 [P].

熊文娟 ;

李俊峰 ;

贺晓彬 ;

蒋浩杰 ;

胡彦鹏 ;

王桂磊 ;

杨涛 ;

亨利·H·阿达姆松 ;

王文武 .

中国专利 :CN108922846A ,2018-11-30

[7]

包含梯级结构的半导体装置和相关方法 [P].

J·B·马托武 ;

D·S·梅亚德 ;

G·达马拉 ;

S·S·S·维格昂塔 ;

K·舍罗特瑞 ;

S·萨拉夫 ;

K·R·加斯特 ;

J·K·K·琼斯拉曼 ;

S·拉玛罗杰 ;

徐丽芳 ;

R·K·本斯利 ;

R·纳鲁卡尔 ;

M·J·金 .

美国专利 :CN110010609B ,2024-03-12

[8]

包含梯级结构的半导体装置和相关方法 [P].

J·B·马托武 ;

D·S·梅亚德 ;

G·达马拉 ;

S·S·S·维格昂塔 ;

K·舍罗特瑞 ;

S·萨拉夫 ;

K·R·加斯特 ;

J·K·K·琼斯拉曼 ;

S·拉玛罗杰 ;

徐丽芳 ;

R·K·本斯利 ;

R·纳鲁卡尔 ;

M·J·金 .

中国专利 :CN110010609A ,2019-07-12

[9]

高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

五户康广 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

山形荣人 .

日本专利 :CN117794883A ,2024-03-29

[10]

氮化硅基板及其制造方法,以及使用该氮化硅基板的氮化硅电路基板和半导体模块 [P].

加贺洋一 ;

渡边纯一 .

中国专利 :CN102105418A ,2011-06-22

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