形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710691033.9

申请日：

2017-08-14

公开(公告)号：

CN107731659A

公开(公告)日：

2018-02-23

发明(设计)人：

苏密特·C·潘迪布伦达·D·克劳斯斯特凡·乌伦布罗克约翰·A·斯迈思蒂莫西·A·奎克

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21762 C23C1656 C23C16455 C23C1634

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

路勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-23	公开	公开
2023-01-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20180223
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170814

共 50 条

[1]

形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体 [P].

苏密特·C·潘迪 ;

布伦达·D·克劳斯 ;

斯特凡·乌伦布罗克 ;

约翰·A·斯迈思 ;

蒂莫西·A·奎克 .

中国专利 :CN115458401A ,2022-12-09

[2]

硅硫族化物前体、形成硅硫族化物前体的方法和形成氮化硅以及半导体结构的相关方法 [P].

蒂莫西·A·奎克 ;

苏密特·C·潘迪 ;

斯特凡·乌伦布罗克 .

中国专利 :CN109478496A ,2019-03-15

[3]

氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

山形荣人 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

宝槻直十 .

日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03

[4]

用于氮化硅沉积的硅前体 [P].

C.德泽拉 ;

福田秀明 ;

V.波雷 .

中国专利 :CN114606477A ,2022-06-10

[5]

氮化硅的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 .

中国专利 :CN113811984A ,2021-12-17

[6]

高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

五户康广 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

山形荣人 .

日本专利 :CN117794883A ,2024-03-29

[7]

等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法 [P].

鸿野真之 ;

西田辰夫 ;

中西敏雄 .

中国专利 :CN101454480A ,2009-06-10

[8]

包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法 [P].

房骏 ;

王菲 ;

S·拉托德 ;

R·纳鲁卡尔 ;

M·帕克 ;

M·J·金 .

中国专利 :CN109427795A ,2019-03-05

[9]

氮化硅层的制备方法及半导体器件 [P].

许浩宁 ;

李进一 .

中国专利 :CN118610074A ,2024-09-06

[10]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

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