NaYF4上转换荧光纳米材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910066783.2
申请日
2009-04-08
公开(公告)号
CN101525540A
公开(公告)日
2009-09-09
发明(设计)人
孙雅娟 孔祥贵 刘晓敏 曾庆辉 张友林 于沂
申请人
申请人地址
130033吉林省长春市东南湖大路3888号
IPC主分类号
C09K1185
IPC分类号
C30B710 C30B2912
代理机构
长春菁华专利商标代理事务所
代理人
赵炳仁
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
上转换荧光材料稀土掺杂NaYF4纳米晶的制备方法 [P]. 
施鹰 ;
郭婧 ;
谢建军 ;
许健 ;
马飞中 .
中国专利 :CN102382654B ,2012-03-21
[2]
常温制备纳米级NaYF4上转换荧光基质材料的方法 [P]. 
周兴平 ;
王志强 .
中国专利 :CN100567448C ,2008-05-14
[3]
采用电沉积制备NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料的方法 [P]. 
刘润 ;
王辉 ;
陈科立 ;
徐铸德 .
中国专利 :CN102140662B ,2011-08-03
[4]
一种羧基功能化的β-NaYF4基质上转换荧光纳米材料的制备方法 [P]. 
刘成辉 ;
李正平 ;
王哲 .
中国专利 :CN102746848B ,2012-10-24
[5]
一种上转换荧光基质材料NaYF4纳米晶的制备方法 [P]. 
周兴平 ;
李珊珊 ;
倪似愚 ;
陈小立 ;
朱泉 .
中国专利 :CN1935938A ,2007-03-28
[6]
上转换NaYF4空心纳米球及其制备方法、应用 [P]. 
尹文艳 ;
谷战军 ;
赵宇亮 .
中国专利 :CN103571492B ,2014-02-12
[7]
上转换荧光纳米材料的制备方法 [P]. 
江梦慈 ;
曾和平 .
中国专利 :CN108070375A ,2018-05-25
[8]
一种尺寸可调上转换NaYF4纳米晶的制备方法 [P]. 
张阳熠 ;
彭靳 ;
江锡顺 ;
欧美英 ;
董可秀 .
中国专利 :CN107955610A ,2018-04-24
[9]
一种掺杂Fe3+离子的NaYF4:Yb3+,Er3+上转换荧光纳米材料的制备方法 [P]. 
王百齐 ;
洪恩律 ;
王智宇 ;
高磊 ;
张利文 ;
杨巧云 ;
于欣煜 ;
胡瑞霞 .
中国专利 :CN109722247A ,2019-05-07
[10]
常温油水两相制备NaYF4为基质的上转换荧光材料的方法 [P]. 
周兴平 ;
王志强 .
中国专利 :CN101235288B ,2008-08-06