采用电沉积制备NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110020593.4

申请日：

2011-01-18

公开(公告)号：

CN102140662B

公开(公告)日：

2011-08-03

发明(设计)人：

刘润王辉陈科立徐铸德

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

C25D550 C09K1185

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

张法高

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113518386 IPC(主分类):C25D 9/04 专利申请号:2011100205934 申请日:20110118
2011-08-03	公开	公开
2019-01-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20110118 授权公告日:20120425 终止日期:20180118

共 50 条

[1]

NaYF4上转换荧光纳米材料的制备方法 [P].

孙雅娟 ;

孔祥贵 ;

刘晓敏 ;

曾庆辉 ;

张友林 ;

于沂 .

中国专利 :CN101525540A ,2009-09-09

[2]

上转换荧光材料稀土掺杂NaYF4纳米晶的制备方法 [P].

施鹰 ;

郭婧 ;

谢建军 ;

许健 ;

马飞中 .

中国专利 :CN102382654B ,2012-03-21

[3]

电沉积制备β-NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光材料的方法 [P].

刘润 ;

田琳琳 ;

徐铸德 ;

许宜铭 .

中国专利 :CN103627394A ,2014-03-12

[4]

常温制备纳米级NaYF4上转换荧光基质材料的方法 [P].

周兴平 ;

王志强 .

中国专利 :CN100567448C ,2008-05-14

[5]

采用电沉积六方相NaGdF4低温诱导制备六方相NaYF4:Yb,Er材料的方法 [P].

刘润 ;

张利洁 ;

张玺 .

中国专利 :CN108677233A ,2018-10-19

[6]

常温油水两相制备NaYF4为基质的上转换荧光材料的方法 [P].

周兴平 ;

王志强 .

中国专利 :CN101235288B ,2008-08-06

[7]

一种快速制备不同物相NaYF4：Yb/Er上转换纳米颗粒的方法 [P].

庄健乐 ;

吴明娒 ;

颜靖 ;

杨婧羚 .

中国专利 :CN105441080A ,2016-03-30

[8]

采用电沉积制备氟化锶或稀土掺杂氟化锶薄膜的方法 [P].

刘润 ;

王辉 ;

陈科立 ;

徐铸德 .

中国专利 :CN101892504A ,2010-11-24

[9]

采用电沉积制备氟化钙或稀土掺杂氟化钙薄膜的方法 [P].

刘润 ;

徐铸德 ;

王辉 ;

陈科立 .

中国专利 :CN101871114B ,2010-10-27

[10]

一种高分子网络凝胶模板法制备NaYF4：Yb,Er上转换稀土纳米荧光材料的方法 [P].

林敏 ;

徐峰 ;

裘慕书 ;

赵英 ;

董宇卿 ;

冯爱玲 ;

卢天健 .

中国专利 :CN103509556B ,2014-01-15

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