钕铁硼磁体及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710217643.5
申请日
2017-04-05
公开(公告)号
CN106920620A
公开(公告)日
2017-07-04
发明(设计)人
杨晓霞
申请人
申请人地址
101204 北京市平谷区马坊工业园区西区286号
IPC主分类号
H01F1057
IPC分类号
H01F108 C22C3816 C22C3810 C22C3302 B22F904
代理机构
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369
代理人
史霞
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
杨晓霞 .
中国专利 :CN108364739A ,2018-08-03
[2]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
王登兴 ;
杜飞 ;
刘晨晨 ;
魏方允 ;
徐道标 ;
林光明 ;
余强 ;
陶骏 .
中国专利 :CN120636993A ,2025-09-12
[3]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
王登兴 ;
杜飞 ;
刘晨晨 ;
魏方允 ;
徐道标 ;
林光明 ;
余强 ;
陶骏 .
中国专利 :CN120636993B ,2025-12-09
[4]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
夏贤爽 ;
陈仁杰 ;
唐旭 ;
都业源 ;
剧锦云 ;
尹文宗 ;
闫阿儒 .
中国专利 :CN114156031A ,2022-03-08
[5]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
石高阳 ;
郝忠彬 .
中国专利 :CN120221252A ,2025-06-27
[6]
烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
安小鑫 ;
吴美浩 .
中国专利 :CN120236840A ,2025-07-01
[7]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
许博恒 .
中国专利 :CN117995544A ,2024-05-07
[8]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
石高阳 ;
刘小浪 ;
郝忠彬 .
中国专利 :CN119889902A ,2025-04-25
[9]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
汤志辉 ;
李可 ;
陈大崑 ;
许德钦 ;
付刚 ;
黄佳莹 ;
王金磊 ;
饶光辉 ;
黄志高 .
中国专利 :CN119601330B ,2025-10-10
[10]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
汤志辉 ;
李可 ;
陈大崑 ;
许德钦 ;
付刚 ;
黄佳莹 ;
王金磊 ;
饶光辉 ;
黄志高 .
中国专利 :CN119601330A ,2025-03-11