钕铁硼磁体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810343442.4

申请日：

2018-04-17

公开(公告)号：

CN108364739A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

杨晓霞

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区仁和镇顺通路31号

IPC主分类号：

H01F1057

IPC分类号：

H01F108 C22C3816 C22C3810 C22C3302

代理机构：

北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369

代理人：

史霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	授权	授权
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 1/057 申请日:20180417
2018-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

杨晓霞 .

中国专利 :CN106920620A ,2017-07-04

[2]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

王登兴 ;

杜飞 ;

刘晨晨 ;

魏方允 ;

徐道标 ;

林光明 ;

余强 ;

陶骏 .

中国专利 :CN120636993A ,2025-09-12

[3]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

王登兴 ;

杜飞 ;

刘晨晨 ;

魏方允 ;

徐道标 ;

林光明 ;

余强 ;

陶骏 .

中国专利 :CN120636993B ,2025-12-09

[4]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

夏贤爽 ;

陈仁杰 ;

唐旭 ;

都业源 ;

剧锦云 ;

尹文宗 ;

闫阿儒 .

中国专利 :CN114156031A ,2022-03-08

[5]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

石高阳 ;

郝忠彬 .

中国专利 :CN120221252A ,2025-06-27

[6]

烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

安小鑫 ;

吴美浩 .

中国专利 :CN120236840A ,2025-07-01

[7]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

张孙云 .

中国专利 :CN113990593B ,2025-01-14

[8]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

杨志杰 ;

倪建浩 ;

陈永奎 ;

赵虎 ;

王宁 ;

陈鹏 ;

李佳宾 .

中国专利 :CN120149004A ,2025-06-13

[9]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

张孙云 .

中国专利 :CN113990593A ,2022-01-28

[10]

钕铁硼磁体的制备方法、钕铁硼磁体及其应用 [P].

石高阳 ;

郝忠彬 ;

刘小浪 .

中国专利 :CN118053661A ,2024-05-17

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