一种钕铁硼磁体及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111171168.5
申请日
2021-10-08
公开(公告)号
CN113990593B
公开(公告)日
2025-01-14
发明(设计)人
张孙云
申请人
宁波市合美达新材料有限公司
申请人地址
315500 浙江省宁波市奉化区江口街道南浦
IPC主分类号
H01F1/057
IPC分类号
H01F41/02 C08F292/00 C08F230/08
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
浙江省 宁波市
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共 50 条
[1]
一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
张孙云 .
中国专利 :CN113990593A ,2022-01-28
[2]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
杨晓霞 .
中国专利 :CN108364739A ,2018-08-03
[3]
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杨晓霞 .
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[4]
一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
陈永奎 ;
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陈风华 ;
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钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
王登兴 ;
杜飞 ;
刘晨晨 ;
魏方允 ;
徐道标 ;
林光明 ;
余强 ;
陶骏 .
中国专利 :CN120636993B ,2025-12-09
[8]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
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中国专利 :CN119763962A ,2025-04-04
[9]
一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
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一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
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