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半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110805469.2
申请日：
2021-07-16
公开(公告)号：
CN113539818A
公开(公告)日：
2021-10-22
发明(设计)人：
鲍锡飞
周刘涛
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21311
IPC分类号：
H01L2167
H01J3732
代理机构：
北京名华博信知识产权代理有限公司 11453
代理人：
边明威
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-22 | 公开 | 公开 |
| 2021-11-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20210716 |