半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910141124.0

申请日：

2009-05-22

公开(公告)号：

CN101615608A

公开(公告)日：

2009-12-30

发明(设计)人：

羽根田雅希清水纪嘉大塚信幸中尾嘉幸砂山理江田平贵裕

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L21768 H01L213205

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张浴月;刘文意

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101002951220 IPC(主分类):H01L 23/532 专利申请号:2009101411240 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县川崎市变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100507
2010-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-30	公开	公开
2021-04-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20090522 授权公告日:20120509 终止日期:20200522
2012-05-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

小柳贤一 ;

藤井邦宏 ;

宇佐美达矢 ;

岸本光司 .

中国专利 :CN1139111C ,2004-02-18

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

日本专利 :CN118804677A ,2024-10-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

日本专利 :CN120239299A ,2025-07-01

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1139122C ,2000-04-19

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

古谷晃 ;

有田幸司 ;

黑川哲也 ;

野田香织 .

中国专利 :CN100517684C ,2007-09-19

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 .

中国专利 :CN102822959A ,2012-12-12

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

齋藤達之 ;

大桥直史 ;

今井俊则 ;

野口纯司 ;

田丸刚 .

中国专利 :CN1420560A ,2003-05-28

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

北田秀树 .

中国专利 :CN102067293B ,2011-05-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美达矢 ;

森田昇 ;

大音光市 .

中国专利 :CN1753164A ,2006-03-29

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

竹胁利至 ;

小田典明 .

中国专利 :CN100418222C ,2005-10-19

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