半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN98119996.8
申请日
1998-08-22
公开(公告)号
CN1139111C
公开(公告)日
2004-02-18
发明(设计)人
小柳贤一 藤井邦宏 宇佐美达矢 岸本光司
申请人
申请人地址
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L2131 H01L213205 H01L2128
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
陈景峻;张志醒
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件 [P]. 
松浦修武 .
中国专利 :CN100543939C ,2007-02-21
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
冈田纪雄 .
中国专利 :CN1139122C ,2000-04-19
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山口直 .
日本专利 :CN118804677A ,2024-10-18
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山本和彦 .
中国专利 :CN1282255C ,2004-01-21
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山口直 .
日本专利 :CN120239299A ,2025-07-01
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
古谷晃 ;
有田幸司 ;
黑川哲也 ;
野田香织 .
中国专利 :CN100517684C ,2007-09-19
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
羽根田雅希 ;
清水纪嘉 ;
大塚信幸 ;
中尾嘉幸 ;
砂山理江 ;
田平贵裕 .
中国专利 :CN101615608A ,2009-12-30
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
时田裕文 .
中国专利 :CN102822959A ,2012-12-12
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
齋藤達之 ;
大桥直史 ;
今井俊则 ;
野口纯司 ;
田丸刚 .
中国专利 :CN1420560A ,2003-05-28
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
北田秀树 .
中国专利 :CN102067293B ,2011-05-18