半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610115627.7

申请日：

2006-08-17

公开(公告)号：

CN100543939C

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

松浦修武

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L213205 H01L2102 H01L2182 H01L2700

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-23	授权	授权
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039209807 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101156277 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县川崎市变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2007-02-21	公开	公开
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039209808 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101156277 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2014-10-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587383589 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101156277 申请日:20060817 授权公告日:20090923 终止日期:20130817

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

小柳贤一 ;

藤井邦宏 ;

宇佐美达矢 ;

岸本光司 .

中国专利 :CN1139111C ,2004-02-18

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[3]

半导体器件以及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

前川和义 ;

河野祐一 .

中国专利 :CN105720027A ,2016-06-29

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1139122C ,2000-04-19

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN100431155C ,2006-01-04

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

濑尾晓 ;

上田哲也 ;

筒江诚 .

中国专利 :CN100463176C ,2006-03-22

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

后藤洋太郎 ;

永久克己 ;

野村佳广 .

中国专利 :CN113745323A ,2021-12-03

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

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