半导体器件以及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510940548.9

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

CN105720027A

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

松本雅弘前川和义河野祐一

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156 H01L2160

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-29	公开	公开
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/488 申请公布日:20160629
2018-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20151216

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN100543939C ,2007-02-21

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[3]

半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

江头克 .

中国专利 :CN1260804C ,2002-11-13

[4]

半导体衬底及其制造方法以及半导体器件 [P].

永野元 ;

水岛一郎 ;

宫野清孝 .

中国专利 :CN1670956A ,2005-09-21

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

松原义久 .

中国专利 :CN1233073A ,1999-10-27

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

小柳贤一 ;

藤井邦宏 ;

宇佐美达矢 ;

岸本光司 .

中国专利 :CN1139111C ,2004-02-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

日本专利 :CN118804677A ,2024-10-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

渡部浩三 ;

神永道台 ;

堀田胜彦 .

中国专利 :CN101047152A ,2007-10-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

中山知士 .

中国专利 :CN107871794A ,2018-04-03

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