共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体存储器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010284305.1
申请日：
2010-09-14
公开(公告)号：
CN102024815B
公开(公告)日：
2011-04-20
发明(设计)人：
舛冈富士雄
新井绅太郎
申请人：
申请人地址：
新加坡柏龄大厦
IPC主分类号：
H01L2711
IPC分类号：
H01L218244
代理机构：
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人：
郑小军;冯志云
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-04-10 | 授权 | 授权 |
| 2011-06-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077292274 IPC(主分类):H01L 27/11 专利申请号:2010102843051 申请日:20100914 |
| 2011-04-20 | 公开 | 公开 |
| 2011-12-21 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101248426698 IPC(主分类):H01L 27/11 专利申请号:2010102843051 变更事项:申请人 变更前权利人:日本优尼山帝斯电子株式会社 变更后权利人:新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:新加坡柏龄大厦 登记生效日:20111115 |