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半导体存储器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010189103.9
申请日：
2010-05-24
公开(公告)号：
CN101924108A
公开(公告)日：
2010-12-22
发明(设计)人：
舛冈富士雄
新井绅太郎
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2711
IPC分类号：
H01L23528
H01L218244
H01L21768
代理机构：
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人：
郑小军;冯志云
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-03-28 | 授权 | 授权 |
| 2011-02-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035905116 IPC(主分类):H01L 27/11 专利申请号:2010101891039 申请日:20100524 |
| 2010-12-22 | 公开 | 公开 |
| 2011-12-21 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101248509436 IPC(主分类):H01L 27/11 专利申请号:2010101891039 变更事项:申请人 变更前权利人:日本优尼山帝斯电子株式会社 变更后权利人:新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:新加坡柏龄大厦 登记生效日:20111115 |