半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010285007.4
申请日
2010-09-16
公开(公告)号
CN102024818A
公开(公告)日
2011-04-20
发明(设计)人
舛冈富士雄 新井绅太郎
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2711
IPC分类号
H01L2906
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
郑小军;冯志云
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933136A ,2010-12-29
[2]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933137B ,2010-12-29
[3]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN103460373A ,2013-12-18
[4]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101911286A ,2010-12-08
[5]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN103370781A ,2013-10-23
[6]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101924108A ,2010-12-22
[7]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN102105978A ,2011-06-22
[8]
半导体存储器件与存储器混载半导体器件、及其制造方法 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933135A ,2010-12-29
[9]
半导体存储器件 [P]. 
崔相武 .
中国专利 :CN103578539B ,2014-02-12
[10]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN102024815B ,2011-04-20