半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201280009024.2
申请日
2012-02-15
公开(公告)号
CN103370781A
公开(公告)日
2013-10-23
发明(设计)人
舛冈富士雄 新井绅太郎
申请人
申请人地址
新加坡柏龄大厦
IPC主分类号
H01L218244
IPC分类号
H01L2711
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
李昕巍;赵根喜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933136A ,2010-12-29
[2]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN103460373A ,2013-12-18
[3]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN102024818A ,2011-04-20
[4]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933137B ,2010-12-29
[5]
半导体存储器件 [P]. 
岩城宏明 ;
熊谷浩一 .
中国专利 :CN1114954C ,1998-08-19
[6]
半导体存储器件 [P]. 
崔相武 .
中国专利 :CN103578539B ,2014-02-12
[7]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101924108A ,2010-12-22
[8]
半导体存储器件 [P]. 
辛昌熙 ;
曹基锡 .
中国专利 :CN101241763A ,2008-08-13
[9]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN102105978A ,2011-06-22
[10]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101911286A ,2010-12-08