一种基于差分驱动和推挽的薄膜铌酸锂电光调制器

被引：0

申请号：

CN202211280207.X

申请日：

2022-10-19

公开(公告)号：

CN115586663A

公开(公告)日：

2023-01-10

发明(设计)人：

戴道锌王迈陈耿鑫

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G02F103

IPC分类号：

G02F1035 G02B612 G02B6136

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

林超

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	公开	公开
2023-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/03 申请日:20221019

共 50 条

[1]

一种推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

岳夫永 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN118131514A ,2024-06-04

[2]

一种极简推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

岳夫永 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN118151416A ,2024-06-07

[3]

一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

岳夫永 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN117991526B ,2024-06-18

[4]

一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

岳夫永 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN117991526A ,2024-05-07

[5]

一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

岳夫永 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN117991524A ,2024-05-07

[6]

一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

岳夫永 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN117991524B ,2024-07-30

[7]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06

[8]

一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P].

胡紫阳 ;

陈力锋 ;

蔡文杰 .

中国专利 :CN113325612A ,2021-08-31

[9]

一种刻穿波导的薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

宋树祥 ;

钟闯洋 ;

陈光润 ;

杨军 ;

杨博雄 ;

韦宗波 ;

马文凯 .

中国专利 :CN120669441A ,2025-09-19

[10]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

余华 ;

刘玉山 ;

陈冠宇 ;

李春德 .

中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17

← 1 2 3 4 5 →