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一种刻穿波导的薄膜铌酸锂电光调制器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510796695.7
申请日：
2025-06-16
公开(公告)号：
CN120669441A
公开(公告)日：
2025-09-19
发明(设计)人：
宋树祥 钟闯洋 陈光润 杨军 杨博雄 韦宗波 马文凯
申请人：
广西师范大学
申请人地址：
541004 广西壮族自治区桂林市七星区育才路15号
IPC主分类号：
G02F1/035
IPC分类号：
代理机构：
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134
代理人：
白洪
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广西壮族自治区 桂林市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/035申请日:20250616
2025-09-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17
[2]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27
[3]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796A ,2025-04-11
[4]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06
[5]
一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
宋树祥 ;
钟闯洋 ;
陈光润 ;
杨军 ;
马文凯 ;
韦宗波 ;
杨博雄 .
中国专利 :CN120447240A ,2025-08-08
[6]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘柳 ;
陈耿鑫 ;
阮子良 ;
薛煜 .
中国专利 :CN112764246B ,2021-05-07
[7]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P]. 
胡紫阳 ;
陈力锋 ;
蔡文杰 .
中国专利 :CN113325612A ,2021-08-31
[8]
薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法 [P]. 
薛海韵 ;
张宇强 .
中国专利 :CN119002103A ,2024-11-22
[9]
基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
张永 ;
沈健 ;
张磊 ;
苏翼凯 .
中国专利 :CN117031851B ,2025-08-08
[10]
一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P]. 
张岚 ;
潘振辉 ;
许明 .
中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07
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