基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510165851.6

申请日：

2015-04-09

公开(公告)号：

CN104729724B

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

张秀川高新江奚水清郑丽霞姚群涂君虹

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

G01J1100

IPC分类号：

H03K17687

代理机构：

北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316

代理人：

刘佳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-13	授权	授权
2015-06-24	公开	公开
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617847246 IPC(主分类):G01J 11/00 专利申请号:2015101658516 申请日:20150409

共 50 条

[1]

单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路 [P].

伍冬 ;

董丽霞 ;

周军 .

中国专利 :CN104198058B ,2014-12-10

[2]

应用于阵列型单光子雪崩二极管的紧凑型检测淬灭电路 [P].

郑丽霞 ;

胡欢 ;

翁子清 ;

姚群 ;

吴金 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN106338339B ,2017-01-18

[3]

一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路 [P].

王伟 ;

张钰 ;

卫振奇 .

中国专利 :CN106411299A ,2017-02-15

[4]

单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P].

格奥尔格·勒雷尔 .

:CN111033759B ,2025-06-27

[5]

单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P].

格奥尔格·勒雷尔 .

中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17

[6]

单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P].

吴劲昌 ;

谢晋安 ;

陈经纬 .

中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11

[7]

单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P].

吴劲昌 ;

谢晋安 ;

陈经纬 .

中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07

[8]

单光子雪崩二极管 [P].

谢晋安 ;

吴劲昌 .

中国专利 :CN114284383A ,2022-04-05

[9]

单光子雪崩二极管 [P].

郭明清 .

中国专利 :CN118315467A ,2024-07-09

[10]

单光子雪崩二极管 [P].

朴淳烈 .

韩国专利 :CN119029078A ,2024-11-26

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