应用于阵列型单光子雪崩二极管的紧凑型检测淬灭电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610901963.8

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN106338339B

公开(公告)日：

2017-01-18

发明(设计)人：

郑丽霞胡欢翁子清姚群吴金孙伟锋

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号

IPC主分类号：

G01J144

IPC分类号：

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

杨晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101706783424 IPC(主分类):G01J 1/44 专利申请号:2016109019638 申请日:20161017
2017-11-17	授权	授权
2017-01-18	公开	公开

共 50 条

[1]

单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路 [P].

伍冬 ;

董丽霞 ;

周军 .

中国专利 :CN104198058B ,2014-12-10

[2]

一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路 [P].

刘马良 ;

刘秉政 ;

黎雄政 ;

胡进 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN110274697A ,2019-09-24

[3]

单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P].

格奥尔格·勒雷尔 .

:CN111033759B ,2025-06-27

[4]

单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P].

格奥尔格·勒雷尔 .

中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17

[5]

单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P].

吴劲昌 ;

谢晋安 ;

陈经纬 .

中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11

[6]

单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P].

吴劲昌 ;

谢晋安 ;

陈经纬 .

中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07

[7]

基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路 [P].

张秀川 ;

高新江 ;

奚水清 ;

郑丽霞 ;

姚群 ;

涂君虹 .

中国专利 :CN104729724B ,2015-06-24

[8]

一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路 [P].

王伟 ;

张钰 ;

卫振奇 .

中国专利 :CN106411299A ,2017-02-15

[9]

一种单光子雪崩二极管成像器件的淬灭与读出电路 [P].

徐跃 ;

赵菲菲 ;

吴金山 ;

王凱玄 ;

何迟 .

中国专利 :CN102538988A ,2012-07-04

[10]

单光子雪崩二极管和用于操作单光子雪崩二极管的方法 [P].

丹尼尔·范·纽文霍夫 ;

沃德·范·德·坦佩 ;

马尔滕·奎克 ;

哥宾纳·叶加纳森 .

中国专利 :CN111684610A ,2020-09-18

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