一种单光子雪崩二极管成像器件的淬灭与读出电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210027665.2
申请日
2012-02-08
公开(公告)号
CN102538988A
公开(公告)日
2012-07-04
发明(设计)人
徐跃 赵菲菲 吴金山 王凱玄 何迟
申请人
申请人地址
210003 江苏省南京市新模范马路66号
IPC主分类号
G01J1100
IPC分类号
H04N5378
代理机构
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
叶连生
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路 [P]. 
伍冬 ;
董丽霞 ;
周军 .
中国专利 :CN104198058B ,2014-12-10
[2]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[3]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[4]
一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路 [P]. 
王伟 ;
张钰 ;
卫振奇 .
中国专利 :CN106411299A ,2017-02-15
[5]
雪崩二极管的淬灭电路和成像系统 [P]. 
周永航 .
中国专利 :CN120282038A ,2025-07-08
[6]
雪崩二极管的淬灭电路和成像系统 [P]. 
周永航 .
中国专利 :CN120282038B ,2025-10-28
[7]
一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构 [P]. 
于春蕾 ;
何一苇 ;
李雪 ;
刘大福 .
中国专利 :CN118507578A ,2024-08-16
[8]
一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构 [P]. 
于春蕾 ;
何一苇 ;
李雪 ;
刘大福 .
中国专利 :CN222776535U ,2025-04-18
[9]
单光子雪崩二极管器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法 [P]. 
永野隆史 ;
柳田刚志 ;
水野郁夫 .
韩国专利 :CN121126909A ,2025-12-12
[10]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11