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一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202421297381.X
申请日：
2024-06-07
公开(公告)号：
CN222776535U
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
于春蕾 何一苇 李雪 刘大福
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址：
200083 上海市虹口区玉田路500号
IPC主分类号：
H10F30/225
IPC分类号：
H10F77/20
代理机构：
上海沪慧律师事务所 31311
代理人：
朱九皋
法律状态：
授权
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构 [P]. 
于春蕾 ;
何一苇 ;
李雪 ;
刘大福 .
中国专利 :CN118507578A ,2024-08-16
[2]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07
[3]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN216980588U ,2022-07-15
[4]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 .
中国专利 :CN216749923U ,2022-06-14
[5]
单光子雪崩二极管器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法 [P]. 
永野隆史 ;
柳田刚志 ;
水野郁夫 .
韩国专利 :CN121126909A ,2025-12-12
[6]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11
[7]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN114284383A ,2022-04-05
[8]
一种单光子雪崩二极管器件 [P]. 
毛成 ;
余航 ;
孔祥顺 ;
闫锋 .
中国专利 :CN119317203B ,2025-12-05
[9]
单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路 [P]. 
伍冬 ;
董丽霞 ;
周军 .
中国专利 :CN104198058B ,2014-12-10
[10]
一种单光子雪崩二极管器件 [P]. 
毛成 ;
余航 ;
孔祥顺 ;
闫锋 .
中国专利 :CN119317203A ,2025-01-14
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