一种晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821312403.X

申请日：

2018-08-15

公开(公告)号：

CN208674129U

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

林河北凌浩谭丽娟杜永琴

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道浪口社区华昌路华昌工业区第2栋1-3层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2910 H01L21336

代理机构：

深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419

代理人：

曹明兰

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人变更前:深圳市金誉半导体有限公司变更后:深圳市金誉半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道浪口社区华昌路华昌工业区第2栋1-3层变更后:518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道浪口社区华昌路华昌工业区第2栋1-3层
2019-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种晶体管及其制作方法 [P].

林河北 ;

凌浩 ;

谭丽娟 ;

杜永琴 .

中国专利 :CN109087950A ,2018-12-25

[2]

一种晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109119473B ,2019-01-01

[3]

一种VDMOS晶体管 [P].

王颢 .

中国专利 :CN102456738A ,2012-05-16

[4]

一种晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109166803A ,2019-01-08

[5]

MOS晶体管 [P].

霍介光 ;

赵立新 .

中国专利 :CN202405265U ,2012-08-29

[6]

一种MOS晶体管 [P].

高伟 ;

谢荣源 ;

洪繁 ;

张琳琳 .

中国专利 :CN222532102U ,2025-02-25

[7]

一种NMOS晶体管 [P].

刘奕晨 .

中国专利 :CN209374451U ,2019-09-10

[8]

一种晶体管结构 [P].

张静 ;

金起準 .

中国专利 :CN211480025U ,2020-09-11

[9]

一种VDMOS晶体管 [P].

许一力 .

中国专利 :CN223080388U ,2025-07-08

[10]

一种晶体管及其制作方法 [P].

徐名正 ;

徐勤莲 .

中国专利 :CN109148304A ,2019-01-04

← 1 2 3 4 5 →