一种NMOS晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201822238345.7

申请日：

2018-12-28

公开(公告)号：

CN209374451U

公开(公告)日：

2019-09-10

发明(设计)人：

刘奕晨

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29161 H01L2978

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

孙涛涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-10	授权	授权
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20181228 授权公告日:20190910 终止日期:20201228

共 50 条

[1]

一种NMOS晶体管 [P].

刘奕晨 .

中国专利 :CN111384145A ,2020-07-07

[2]

NMOS晶体管的制造方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN103000522A ,2013-03-27

[3]

NMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104465752A ,2015-03-25

[4]

一种NMOS晶体管 [P].

胡绍朋 .

中国专利 :CN212461700U ,2021-02-02

[5]

一种NMOS晶体管 [P].

王以凯 .

中国专利 :CN212485307U ,2021-02-05

[6]

NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管 [P].

何永根 .

中国专利 :CN103474351B ,2013-12-25

[7]

NMOS晶体管的制造方法 [P].

谢欣云 ;

陈志豪 ;

卢炯平 .

中国专利 :CN102446767B ,2012-05-09

[8]

NMOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989549B ,2011-03-23

[9]

NMOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989550A ,2011-03-23

[10]

NMOS晶体管形成方法 [P].

甘正浩 ;

冯军宏 .

中国专利 :CN103000501B ,2013-03-27

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