包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911155057.8

申请日：

2019-11-22

公开(公告)号：

CN112397485A

公开(公告)日：

2021-02-23

发明(设计)人：

黄益民

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

薛恒;王琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20191122
2021-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法 [P].

黄益民 .

中国专利 :CN112397485B ,2024-11-29

[2]

形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器 [P].

金荣善 ;

金景勋 ;

元晳俊 ;

南甲镇 ;

金荣敏 ;

金荣大 ;

朴泳旭 ;

李承恒 ;

李相协 ;

沈世镇 ;

陈裕赞 ;

文周泰 ;

崔珍爽 .

中国专利 :CN1130761C ,1998-11-18

[3]

沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法 [P].

R.贝格尔 ;

S.庞普尔 ;

T.波普 .

中国专利 :CN103296000B ,2013-09-11

[4]

集成电路的电容器 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN101299428B ,2008-11-05

[5]

集成电路电容器 [P].

李受哲 ;

张东烈 .

中国专利 :CN100431151C ,2004-04-14

[6]

集成电路电容器 [P].

汉斯·哈贝尔施塔特 .

中国专利 :CN102545815A ,2012-07-04

[7]

电容器阵列及用于形成电容器阵列、集成电路的方法 [P].

S·L·莱特 .

美国专利 :CN111987102B ,2025-03-25

[8]

电容器和形成电容器的方法 [P].

L·多拜 .

德国专利 :CN121171792A ,2025-12-19

[9]

电容器、电容器的制造方法及半导体集成电路 [P].

林茂雄 ;

张大鹏 ;

朱畅 ;

韦鸿运 ;

刘刚 ;

蒋云峰 .

中国专利 :CN107068650A ,2017-08-18

[10]

集成电路中的集成电容器 [P].

E·N·斯蒂芬诺夫 ;

P·K·阿布达 .

中国专利 :CN114582885A ,2022-06-03

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