一种低功耗基准电压和基准电流产生电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010435167.6
申请日
2020-05-21
公开(公告)号
CN111552342A
公开(公告)日
2020-08-18
发明(设计)人
刘新宁 童南阳
申请人
申请人地址
211189 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
IPC主分类号
G05F1567
IPC分类号
代理机构
南京众联专利代理有限公司 32206
代理人
叶涓涓
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
基准电压产生电路和基准电流产生电路 [P]. 
番场博则 .
中国专利 :CN1132085C ,2003-12-24
[2]
基准电压产生电路和基准电流产生电路 [P]. 
番場博則 .
中国专利 :CN1515973A ,2004-07-28
[3]
低温漂移基准电压和基准电流产生电路 [P]. 
姚素英 ;
付园园 ;
徐江涛 ;
高静 ;
史再峰 ;
聂凯明 .
中国专利 :CN102681587A ,2012-09-19
[4]
基准电流产生电路以及基准电压产生电路 [P]. 
杉浦正一 .
中国专利 :CN103163934B ,2013-06-19
[5]
基准电压电流产生电路 [P]. 
李天望 .
中国专利 :CN116204028B ,2025-08-01
[6]
一种超低功耗的基准电压产生电路 [P]. 
李杰 ;
付强 .
中国专利 :CN108181968A ,2018-06-19
[7]
一种超低功耗的基准电压产生电路 [P]. 
李杰 ;
付强 .
中国专利 :CN208061059U ,2018-11-06
[8]
高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路 [P]. 
胡炜 ;
许育森 ;
黄继伟 ;
黄凤英 ;
林安 ;
安奇 .
中国专利 :CN103309391A ,2013-09-18
[9]
高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路 [P]. 
胡炜 ;
许育森 ;
黄继伟 ;
黄凤英 ;
林安 ;
安奇 .
中国专利 :CN203350760U ,2013-12-18
[10]
一种CMOS基准电流和基准电压产生电路 [P]. 
邹志革 ;
孙帆 ;
雷鑑铭 ;
邹雪城 ;
蔡湧达 .
中国专利 :CN104615184B ,2015-05-13