一种CMOS基准电流和基准电压产生电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510012921.4

申请日：

2015-01-12

公开(公告)号：

CN104615184B

公开(公告)日：

2015-05-13

发明(设计)人：

邹志革孙帆雷鑑铭邹雪城蔡湧达

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G05F156

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

廖盈春

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	授权	授权
2015-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101612419779 IPC(主分类):G05F 1/56 专利申请号:2015100129214 申请日:20150112
2015-05-13	公开	公开
2018-03-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20150112 授权公告日:20160113 终止日期:20170112

共 50 条

[1]

基准电压产生电路和基准电流产生电路 [P].

番場博則 .

中国专利 :CN1515973A ,2004-07-28

[2]

基准电压产生电路和基准电流产生电路 [P].

番场博则 .

中国专利 :CN1132085C ,2003-12-24

[3]

基准电流产生电路以及基准电压产生电路 [P].

杉浦正一 .

中国专利 :CN103163934B ,2013-06-19

[4]

一种低功耗基准电压和基准电流产生电路 [P].

刘新宁 ;

童南阳 .

中国专利 :CN111552342A ,2020-08-18

[5]

低温漂移基准电压和基准电流产生电路 [P].

姚素英 ;

付园园 ;

徐江涛 ;

高静 ;

史再峰 ;

聂凯明 .

中国专利 :CN102681587A ,2012-09-19

[6]

基准电压产生电路 [P].

苏威 ;

武洁 ;

徐家雷 .

中国专利 :CN103853228A ,2014-06-11

[7]

CMOS带隙基准电压产生电路 [P].

段新东 .

中国专利 :CN101840243A ,2010-09-22

[8]

基准电压生成电路和基准电流生成电路 [P].

小林一行 ;

铃木达也 ;

金田安弘 .

中国专利 :CN1831699A ,2006-09-13

[9]

一种基准电压产生电路 [P].

刘德昌 ;

赖志国 ;

杨清华 .

中国专利 :CN220820525U ,2024-04-19

[10]

一种基准电压产生电路 [P].

周忠义 ;

刘兴慧 .

中国专利 :CN112162585A ,2021-01-01

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