半导体存储器件、局部预充电电路及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710108101.0

申请日：

2007-05-30

公开(公告)号：

CN101083133A

公开(公告)日：

2007-12-05

发明(设计)人：

李舜燮金大俊玄东昊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C712

IPC分类号：

G11C706

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邵亚丽

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

预充电电路及包括所述预充电电路的半导体存储器件 [P].

金承凤 .

中国专利 :CN102347067A ,2012-02-08

[2]

半导体存储器件及其控制方法 [P].

金善瑛 ;

南仁哲 ;

金尚玧 ;

徐宁焄 .

韩国专利 :CN120148569A ,2025-06-13

[3]

半导体存储器件和半导体存储器件的驱动方法 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102543174B ,2012-07-04

[4]

半导体存储器件 [P].

藤田胜之 ;

H·S·任 .

中国专利 :CN108028059B ,2018-05-11

[5]

半导体存储器件 [P].

金昇鲁 .

中国专利 :CN102169712A ,2011-08-31

[6]

半导体存储器件 [P].

元炯植 .

中国专利 :CN110010168A ,2019-07-12

[7]

半导体存储器件 [P].

秋山悟 ;

竹村理一郎 ;

河原尊之 ;

关口知纪 .

中国专利 :CN1677564B ,2005-10-05

[8]

半导体存储器件 [P].

加藤好治 ;

小村一史 ;

川本悟 .

中国专利 :CN1822213A ,2006-08-23

[9]

半导体存储器件 [P].

坂本达哉 ;

永岛靖 ;

竹村理一郎 .

中国专利 :CN1258079A ,2000-06-28

[10]

半导体存储器件 [P].

仲矢修治 .

中国专利 :CN1516189A ,2004-07-28

← 1 2 3 4 5 →