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半导体存储器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811300277.0
申请日：
2018-11-02
公开(公告)号：
CN110010168A
公开(公告)日：
2019-07-12
发明(设计)人：
元炯植
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
G11C706
IPC分类号：
G11C708
代理机构：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人：
许伟群;郭放
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-08-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/06 申请日:20181102
2019-07-12 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体存储器件 [P]. 
元炯植 ;
金弘中 .
中国专利 :CN110047524A ,2019-07-23
[2]
半导体存储器件 [P]. 
金东槿 .
中国专利 :CN100580807C ,2007-04-04
[3]
半导体存储器件 [P]. 
铃木宏一 .
中国专利 :CN1206918A ,1999-02-03
[4]
半导体存储器件 [P]. 
金昇鲁 .
中国专利 :CN102169712A ,2011-08-31
[5]
半导体存储器件 [P]. 
折笠宪一 .
中国专利 :CN101047026A ,2007-10-03
[6]
半导体存储器件 [P]. 
大槻浩久 ;
铃木利一 .
中国专利 :CN1523608B ,2004-08-25
[7]
半导体存储器件 [P]. 
田中利广 ;
加藤正高 ;
佐佐木敏夫 ;
久米均 ;
小谷博昭 ;
古泽和则 .
中国专利 :CN1221957A ,1999-07-07
[8]
半导体存储器件 [P]. 
折笠宪一 .
中国专利 :CN1329922C ,2004-01-14
[9]
半导体存储器件 [P]. 
金珉秀 .
中国专利 :CN105097026B ,2015-11-25
[10]
半导体非易失性存储器件 [P]. 
田中利广 ;
加藤正高 ;
佐佐木敏夫 ;
久米均 ;
小谷博昭 ;
古泽和则 .
中国专利 :CN1100553A ,1995-03-22
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