沟槽型MOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710145637.X

申请日：

2007-09-06

公开(公告)号：

CN101145576B

公开(公告)日：

2008-03-19

发明(设计)人：

沈揆光金钟玟

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2949 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;梁挥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-02	授权	授权
2008-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587903952 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL200710145637X 申请日:20070906 授权公告日:20100602 终止日期:20130906
2008-03-19	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽型MOS晶体管及其制造方法 [P].

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102569406A ,2012-07-11

[2]

高耐压沟槽MOS晶体管及其制造方法 [P].

林敬司 .

中国专利 :CN101154685A ,2008-04-02

[3]

沟槽型功率MOS晶体管及其制备方法 [P].

魏炜 ;

程义川 ;

王凡 .

中国专利 :CN101740615A ,2010-06-16

[4]

沟槽型DMOS晶体管及其制造方法 [P].

全昌基 .

中国专利 :CN1148274A ,1997-04-23

[5]

沟槽型晶体管及其制造方法 [P].

龚雪芹 ;

张彦飞 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN115101592A ,2022-09-23

[6]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李东勋 .

中国专利 :CN1399319A ,2003-02-26

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN100435353C ,2004-04-28

[8]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102931235B ,2013-02-13

[9]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477952A ,2009-07-08

[10]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

杜在凯 ;

周文斌 ;

张磊 .

中国专利 :CN108598002B ,2018-09-28

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