薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910140435.5

申请日：

2004-03-15

公开(公告)号：

CN101562197A

公开(公告)日：

2009-10-21

发明(设计)人：

奥村展

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2910 H01L2912 H01L2906 H01L2712 G02F11368 H01L2732 H04M102 H01L21336

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷;南霆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	公开	公开
2011-08-10	授权	授权
2009-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-04-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101574206561 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2009101404355 变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:金振有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:萨摩亚阿皮亚海辉中心217号邮箱登记生效日:20130401

共 50 条

[1]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、电子设备及多晶半导体薄膜的制造方法 [P].

奥村展 .

中国专利 :CN1813344A ,2006-08-02

[2]

薄膜晶体管及薄膜晶体管基板 [P].

方国龙 ;

施博理 ;

高逸群 ;

林欣桦 ;

李志隆 .

中国专利 :CN105810745B ,2016-07-27

[3]

薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子设备 [P].

横关弥树博 .

中国专利 :CN103325817A ,2013-09-25

[4]

薄膜晶体管 [P].

是成贵弘 .

中国专利 :CN100381932C ,2003-10-22

[5]

薄膜晶体管 [P].

越智元隆 ;

高梨泰幸 ;

三木绫 ;

后藤裕史 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN106489209B ,2017-03-08

[6]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN118099166A ,2024-05-28

[7]

薄膜晶体管基板 [P].

赵圣弼 ;

金容一 .

中国专利 :CN204538024U ,2015-08-05

[8]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 ;

世良贤二 ;

田中淳 ;

何水 ;

林飞鹏 .

中国专利 :CN114695387A ,2022-07-01

[9]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN118099167A ,2024-05-28

[10]

薄膜晶体管基板 [P].

李瑛长 ;

孙庚模 ;

赵圣弼 ;

朴帝薰 ;

李昭珩 ;

盧相淳 ;

朴文镐 ;

李成秦 ;

高承孝 ;

郑美真 .

中国专利 :CN204464282U ,2015-07-08

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