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一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811352408.X
申请日
:
2018-11-14
公开(公告)号
:
CN109524522A
公开(公告)日
:
2019-03-26
发明(设计)人
:
陶章峰
乔楠
余雪平
程金连
胡加辉
申请人
:
申请人地址
:
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
:
H01L3314
IPC分类号
:
H01L3300
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
徐立
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20181114
2021-04-06
授权
授权
2019-03-26
公开
公开
共 50 条
[1]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
张志刚
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张志刚
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刘春杨
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刘春杨
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董斌忠
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董斌忠
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胡加辉
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胡加辉
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李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN109860351B
,2019-06-07
[2]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
张志刚
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张志刚
;
刘春杨
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刘春杨
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董彬忠
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董彬忠
;
胡加辉
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胡加辉
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李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN109671813A
,2019-04-23
[3]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
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张彩霞
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印从飞
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印从飞
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程金连
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程金连
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胡加辉
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胡加辉
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金从龙
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金从龙
.
中国专利
:CN114725257A
,2022-07-08
[4]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
张彩霞
;
印从飞
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
印从飞
;
程金连
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程金连
;
胡加辉
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN114725257B
,2025-04-18
[5]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
陶章峰
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陶章峰
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乔楠
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乔楠
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张武斌
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程金连
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程金连
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李鹏
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李鹏
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胡加辉
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胡加辉
.
中国专利
:CN109802020B
,2019-05-24
[6]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
苏晨
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苏晨
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王慧
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王慧
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肖扬
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肖扬
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肖云飞
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肖云飞
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胡加辉
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胡加辉
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李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN109671820A
,2019-04-23
[7]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
刘旺平
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刘旺平
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乔楠
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乔楠
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吕蒙普
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吕蒙普
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胡加辉
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李鹏
.
中国专利
:CN109545925A
,2019-03-29
[8]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
陶章峰
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陶章峰
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乔楠
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余雪平
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余雪平
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程金连
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程金连
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胡加辉
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胡加辉
.
中国专利
:CN109860356A
,2019-06-07
[9]
GaN基发光二极管外延片
[P].
丁涛
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丁涛
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周飚
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胡加辉
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胡加辉
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李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN209561451U
,2019-10-29
[10]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
丁涛
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丁涛
;
周飚
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胡加辉
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李鹏
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中国专利
:CN110061112B
,2019-07-26
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