一种半导体级硅粉的纯化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111337818.9

申请日：

2021-11-12

公开(公告)号：

CN113772675A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

张辰宇赵丽霞魏汝省马康夫方芃博陈琪李刚许正靳霄曦张馨丹

申请人：

申请人地址：

030006 山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109

代理人：

崔雪花;冷锦超

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01B 33/037 申请公布日:20211210
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/037 申请日:20211112
2021-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体级石墨粉的纯化方法 [P].

许正 ;

赵丽霞 ;

魏汝省 ;

马康夫 ;

方芃博 ;

陈琪 ;

李刚 ;

张辰宇 ;

靳霄曦 ;

张馨丹 .

中国专利 :CN113735110B ,2021-12-03

[2]

一种半导体级石墨粉的深度纯化方法 [P].

许正 ;

魏汝省 ;

马康夫 ;

李天 ;

张辰宇 ;

李刚 ;

陈琪 ;

靳霄曦 .

中国专利 :CN117735544A ,2024-03-22

[3]

一种半导体级石墨粉的深度纯化方法 [P].

许正 ;

魏汝省 ;

马康夫 ;

李天 ;

张辰宇 ;

李刚 ;

陈琪 ;

靳霄曦 .

中国专利 :CN117735544B ,2024-05-28

[4]

一种半导体级异丙醇的纯化方法 [P].

乔正收 ;

王金城 .

中国专利 :CN112723994A ,2021-04-30

[5]

一种半导体级异丙醇的纯化方法 [P].

乔正收 .

中国专利 :CN111574326A ,2020-08-25

[6]

半导体级PGMEA纯化系统及纯化方法 [P].

陈玉龙 ;

周礼 ;

田相龙 ;

袁学伟 ;

钱亚星 ;

曹存 ;

王亚峰 ;

张晓明 ;

姜大春 ;

刘光强 .

中国专利 :CN119425130A ,2025-02-14

[7]

一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法 [P].

张福生 ;

郝霄鹏 ;

吴拥中 ;

邵永亮 ;

张保国 ;

胡海啸 ;

龚圣智 ;

赵宇 ;

吕洪 .

中国专利 :CN117361534A ,2024-01-09

[8]

一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法 [P].

张福生 ;

郝霄鹏 ;

吴拥中 ;

邵永亮 ;

张保国 ;

胡海啸 ;

龚圣智 ;

赵宇 ;

吕洪 .

中国专利 :CN117361534B ,2025-11-21

[9]

一种碳化硅粉的纯化方法 [P].

耿金春 ;

吴希湖 ;

何雷晶 ;

徐航舰 ;

杨根祥 .

中国专利 :CN120964814A ,2025-11-18

[10]

一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法和半导体级单晶硅生长方法 [P].

尹加远 ;

周勇 ;

吴伟华 ;

陶飞 ;

王杨柳 .

中国专利 :CN118307182B ,2024-08-06

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