一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311321819.3

申请日：

2023-10-13

公开(公告)号：

CN117361534A

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

张福生郝霄鹏吴拥中邵永亮张保国胡海啸龚圣智赵宇吕洪

申请人：

齐鲁工业大学（山东省科学院）山东加睿晶欣新材料股份有限公司

申请人地址：

250353 山东省济南市西部新城大学科技园

IPC主分类号：

C01B32/984

IPC分类号：

C01B32/956

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

张春连

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	公开	公开
2024-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/984申请日:20231013
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法 [P].

张福生 ;

郝霄鹏 ;

吴拥中 ;

邵永亮 ;

张保国 ;

胡海啸 ;

龚圣智 ;

赵宇 ;

吕洪 .

中国专利 :CN117361534B ,2025-11-21

[2]

一种高晶质碳化硅晶体料制备方法 [P].

吴国明 ;

姚忠冉 ;

周培刚 .

中国专利 :CN120119333A ,2025-06-10

[3]

一种高纯碳化硅粉及其制备方法 [P].

靳婉琪 ;

耶夫亨·布乐琴科 ;

王超 ;

贾河顺 ;

王雅儒 .

中国专利 :CN110217796A ,2019-09-10

[4]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[5]

一种高纯碳化硅粉及其制备方法 [P].

热尼亚 .

中国专利 :CN109553105A ,2019-04-02

[6]

一种高纯碳化硅粉及其制备方法 [P].

王超 .

中国专利 :CN109264723A ,2019-01-25

[7]

一种高纯碳化硅粉的制备方法 [P].

耿金春 ;

吴希湖 ;

何雷晶 ;

徐航舰 ;

杨根祥 .

中国专利 :CN121020587A ,2025-11-28

[8]

一种碳化硅粉的制备方法及碳化硅粉 [P].

周芳享 ;

朱一鸣 ;

周维 .

中国专利 :CN112279254B ,2021-01-29

[9]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[10]

一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器 [P].

王超 ;

靳婉琪 ;

热尼亚 ;

柏文文 .

中国专利 :CN111056554B ,2020-04-24

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