提高空穴注入的LED外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610419939.0

申请日：

2016-06-13

公开(公告)号：

CN105932118B

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

林传强

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 C30B2940 C30B2502

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681321252 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016104199390 申请日:20160613
2016-09-07	公开	公开
2018-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770B ,2024-05-14

[2]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770A ,2021-04-20

[3]

提高空穴注入的发光二极管外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN105870269A ,2016-08-17

[4]

高空穴注入效率的LED外延结构 [P].

郑建钦 ;

田宇 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

赖志豪 ;

林政志 .

中国专利 :CN204966527U ,2016-01-13

[5]

一种提高发光效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

王杰 ;

谢鹏杰 .

中国专利 :CN112420883A ,2021-02-26

[6]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[7]

一种提高LED发光效率的外延生长方法 [P].

商毅博 .

中国专利 :CN104332544A ,2015-02-04

[8]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[9]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[10]

提高光效的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

林传强 .

中国专利 :CN106328494A ,2017-01-11

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