复合曲面陷光结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710366413.5
申请日
2017-05-23
公开(公告)号
CN107134499A
公开(公告)日
2017-09-05
发明(设计)人
郭小伟 徐文龙 王大帅 李绍荣
申请人
申请人地址
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
H01L310216
IPC分类号
H01L31068 H01L3118
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种倒楔形体陷光结构及其制备方法 [P]. 
郭小伟 ;
王大帅 ;
徐文龙 ;
张娟 ;
李绍荣 ;
杨承 .
中国专利 :CN107546284A ,2018-01-05
[2]
一种用于太阳能电池的全介质超表面陷光结构及其制备方法 [P]. 
郭小伟 ;
罗国凌 ;
杨沛霖 ;
王珂 ;
张娟 ;
李绍荣 .
中国专利 :CN111599877B ,2020-08-28
[3]
半导体陷光结构及其制备方法 [P]. 
欧欣 ;
黄浩 ;
张师斌 ;
游天桂 .
中国专利 :CN111081811A ,2020-04-28
[4]
陷光增效结构及其制备方法和太阳能电池及其制备方法 [P]. 
王海燕 ;
杜大学 ;
李明洁 ;
王凤彦 ;
徐朝鹏 .
中国专利 :CN110085685B ,2019-08-02
[5]
基片表面陷光结构的制备装置及其制备方法 [P]. 
张芸 ;
贾旭涛 ;
贾瑞 .
中国专利 :CN107658247A ,2018-02-02
[6]
太阳能电池微纳尺寸陷光结构、太阳能电池及其制备方法 [P]. 
盛赟 .
中国专利 :CN105304733A ,2016-02-03
[7]
具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法 [P]. 
陈庆敏 ;
李丙科 ;
陈加朋 ;
卓倩武 .
中国专利 :CN117410386B ,2024-03-19
[8]
具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法 [P]. 
陈庆敏 ;
李丙科 ;
陈加朋 ;
卓倩武 .
中国专利 :CN117410386A ,2024-01-16
[9]
具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法 [P]. 
李美成 ;
任霄峰 ;
齐哲 .
中国专利 :CN102102227A ,2011-06-22
[10]
一种减反陷光膜及其制备方法 [P]. 
崔洪涛 ;
方晓龙 ;
齐孝文 ;
谢心怡 ;
刘成岭 ;
陈祥富 ;
赵玉全 ;
滕超 ;
陈肖洁 ;
王友福 .
中国专利 :CN117646179A ,2024-03-05