基片表面陷光结构的制备装置及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710821482.0

申请日：

2017-09-12

公开(公告)号：

CN107658247A

公开(公告)日：

2018-02-02

发明(设计)人：

张芸贾旭涛贾瑞

申请人：

申请人地址：

102208 北京市昌平区回龙观建材城西路瑞旗家园Soco29#-103

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L310236

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-02	公开	公开
2020-09-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/67 申请公布日:20180202
2018-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20170912

共 50 条

[1]

复合曲面陷光结构及其制备方法 [P].

郭小伟 ;

徐文龙 ;

王大帅 ;

李绍荣 .

中国专利 :CN107134499A ,2017-09-05

[2]

半导体陷光结构及其制备方法 [P].

欧欣 ;

黄浩 ;

张师斌 ;

游天桂 .

中国专利 :CN111081811A ,2020-04-28

[3]

具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

齐哲 .

中国专利 :CN102102227A ,2011-06-22

[4]

利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

姜冰 ;

白帆 ;

宋丹丹 .

中国专利 :CN102304766B ,2012-01-04

[5]

陷光增效结构及其制备方法和太阳能电池及其制备方法 [P].

王海燕 ;

杜大学 ;

李明洁 ;

王凤彦 ;

徐朝鹏 .

中国专利 :CN110085685B ,2019-08-02

[6]

具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法 [P].

陈庆敏 ;

李丙科 ;

陈加朋 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN117410386B ,2024-03-19

[7]

具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法 [P].

陈庆敏 ;

李丙科 ;

陈加朋 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN117410386A ,2024-01-16

[8]

全介质双C字形凹槽超表面陷光结构及其制备方法和应用 [P].

王晓东 ;

魏博 ;

毛旭 ;

杨富华 .

中国专利 :CN117954517A ,2024-04-30

[9]

基于湿法刻蚀硅表面镶嵌Ag纳米线陷光结构的制备方法 [P].

戴菡 ;

房洪杰 ;

孙杰 ;

余鑫祥 ;

赵俊凤 ;

黄同瑊 ;

吕正风 .

中国专利 :CN107302040A ,2017-10-27

[10]

一种倒楔形体陷光结构及其制备方法 [P].

郭小伟 ;

王大帅 ;

徐文龙 ;

张娟 ;

李绍荣 ;

杨承 .

中国专利 :CN107546284A ,2018-01-05

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