利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110260398.9

申请日：

2011-09-05

公开(公告)号：

CN102304766B

公开(公告)日：

2012-01-04

发明(设计)人：

李美成任霄峰姜冰白帆宋丹丹

申请人：

申请人地址：

102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

C23F124 H01L3118

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

黄家俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101190911607 IPC(主分类):C30B 33/10 专利申请号:2011102603989 申请日:20110905
2013-10-30	授权	授权
2012-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

齐哲 .

中国专利 :CN102102227A ,2011-06-22

[2]

用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

白帆 ;

余航 .

中国专利 :CN102299207A ,2011-12-28

[3]

一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法 [P].

姜冰 ;

李美成 ;

白帆 ;

余航 .

中国专利 :CN103103511B ,2013-05-15

[4]

基于湿法刻蚀硅表面镶嵌Ag纳米线陷光结构的制备方法 [P].

戴菡 ;

房洪杰 ;

孙杰 ;

余鑫祥 ;

赵俊凤 ;

黄同瑊 ;

吕正风 .

中国专利 :CN107302040A ,2017-10-27

[5]

一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

白帆 ;

宋丹丹 ;

姜冰 .

中国专利 :CN102330142B ,2012-01-25

[6]

具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法 [P].

陈庆敏 ;

李丙科 ;

陈加朋 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN117410386B ,2024-03-19

[7]

具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法 [P].

陈庆敏 ;

李丙科 ;

陈加朋 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN117410386A ,2024-01-16

[8]

一种接近式软膜曝光微纳陷光结构的制备方法 [P].

涂亮亮 ;

刘亚坤 ;

林建男 ;

魏明德 .

中国专利 :CN106098843B ,2016-11-09

[9]

一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法 [P].

李美成 ;

戴菡 ;

丁瑞强 ;

陈召 ;

谷田生 ;

范汇洋 .

中国专利 :CN103022266A ,2013-04-03

[10]

基片表面陷光结构的制备装置及其制备方法 [P].

张芸 ;

贾旭涛 ;

贾瑞 .

中国专利 :CN107658247A ,2018-02-02

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