一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110261035.7

申请日：

2011-09-05

公开(公告)号：

CN102330142B

公开(公告)日：

2012-01-25

发明(设计)人：

李美成任霄峰白帆宋丹丹姜冰

申请人：

申请人地址：

102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号

IPC主分类号：

C25F312

IPC分类号：

C25F314 C23F124 C23F102 B82Y4000 B82Y3000

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

黄家俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101203910246 IPC(主分类):C25F 3/12 专利申请号:2011102610357 申请日:20110905
2012-01-25	公开	公开
2013-10-30	授权	授权

共 50 条

[1]

硅表面微/纳米减反射结构的制备方法及应用 [P].

郭守武 ;

王艳梅 ;

吴海霞 .

中国专利 :CN104393102B ,2015-03-04

[2]

利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

姜冰 ;

白帆 ;

宋丹丹 .

中国专利 :CN102304766B ,2012-01-04

[3]

一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法 [P].

李美成 ;

戴菡 ;

丁瑞强 ;

陈召 ;

谷田生 ;

范汇洋 .

中国专利 :CN103022266A ,2013-04-03

[4]

一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李美成 ;

黄睿 ;

白帆 ;

谷田生 ;

姜冰 ;

宋丹丹 ;

李英峰 .

中国专利 :CN103030100B ,2013-04-10

[5]

一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法 [P].

李美成 ;

丁瑞强 ;

戴菡 ;

李晓丹 .

中国专利 :CN103258718A ,2013-08-21

[6]

具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

齐哲 .

中国专利 :CN102102227A ,2011-06-22

[7]

用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

白帆 ;

余航 .

中国专利 :CN102299207A ,2011-12-28

[8]

一种纳米多孔结构减反射涂膜的制备方法 [P].

杨雷 ;

赵强强 ;

沈一峰 ;

姜建堂 .

中国专利 :CN108359341B ,2018-08-03

[9]

一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法 [P].

孙旺宁 ;

李俊杰 ;

夏晓翔 ;

田士兵 ;

顾长志 .

中国专利 :CN102351569A ,2012-02-15

[10]

在柔性基材表面制备纳米多孔结构减反射涂膜的方法 [P].

杨雷 ;

赵强强 ;

沈一峰 ;

姜建堂 .

中国专利 :CN108517045B ,2018-09-11

← 1 2 3 4 5 →