硅表面微/纳米减反射结构的制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410548604.X

申请日：

2014-10-16

公开(公告)号：

CN104393102B

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

郭守武王艳梅吴海霞

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310216

代理机构：

上海交达专利事务所 31201

代理人：

王毓理;王锡麟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603718142 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:201410548604X 申请日:20141016
2020-10-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20141016 授权公告日:20160803 终止日期:20191016
2016-08-03	授权	授权
2015-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

白帆 ;

宋丹丹 ;

姜冰 .

中国专利 :CN102330142B ,2012-01-25

[2]

一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法 [P].

苏晓东 ;

胡奋琴 .

中国专利 :CN107546285A ,2018-01-05

[3]

一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李美成 ;

黄睿 ;

白帆 ;

谷田生 ;

姜冰 ;

宋丹丹 ;

李英峰 .

中国专利 :CN103030100B ,2013-04-10

[4]

微纳结构表面构筑纳米涂层的方法及其在减反射上的应用 [P].

侯仪 ;

蔡超 ;

王真 ;

赵宁 ;

徐坚 .

中国专利 :CN108373610B ,2018-08-07

[5]

一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法 [P].

孙旺宁 ;

李俊杰 ;

夏晓翔 ;

田士兵 ;

顾长志 .

中国专利 :CN102351569A ,2012-02-15

[6]

基于飞秒激光在硅表面制备功能微纳米材料的制备装置和方法 [P].

林景全 ;

谭欣 ;

陶海岩 .

中国专利 :CN102500923A ,2012-06-20

[7]

一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法 [P].

张登英 ;

赵风周 ;

张立春 ;

许家沛 ;

黄玉鹏 ;

罗兴 .

中国专利 :CN109103301B ,2018-12-28

[8]

基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法 [P].

杨理理 ;

李铖 .

中国专利 :CN109853044B ,2019-06-07

[9]

一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法 [P].

赵世华 ;

李朋 ;

胡宏伟 ;

李立强 ;

姜龙 ;

刘泉林 ;

陈文聪 .

中国专利 :CN105845785A ,2016-08-10

[10]

具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

齐哲 .

中国专利 :CN102102227A ,2011-06-22

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