半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710735050.8

申请日：

2017-08-24

公开(公告)号：

CN109427678A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	授权	授权
2019-03-05	公开	公开
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20170824

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

金吉松 ;

苏柏青 ;

亚伯拉罕·庾 .

中国专利 :CN114512453A ,2022-05-17

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113838802A ,2021-12-24

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

袁可方 ;

罗杰 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN111293074B ,2020-06-16

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵炳贵 .

中国专利 :CN115083891A ,2022-09-20

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩承英 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN111554578A ,2020-08-18

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN111755513A ,2020-10-09

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309858A ,2021-02-02

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

王金刚 .

中国专利 :CN112017949A ,2020-12-01

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

纪世良 ;

陈卓凡 ;

张海洋 .

中国专利 :CN112018034A ,2020-12-01

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN113782485A ,2021-12-10

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