制造深沟槽绝缘栅极双极晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910261914.2

申请日：

2009-12-21

公开(公告)号：

CN101789396A

公开(公告)日：

2010-07-28

发明(设计)人：

维杰伊·帕塔萨拉蒂苏吉特·巴纳吉

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L218222

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

赵飞;南霆

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	授权	授权
2010-07-28	公开	公开
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101075887820 IPC(主分类):H01L 21/8222 专利申请号:2009102619142 申请日:20091221
2017-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101702997388 IPC(主分类):H01L 21/8222 专利号:ZL2009102619142 申请日:20091221 授权公告日:20140319 终止日期:20151221

共 50 条

[1]

深沟槽绝缘栅极双极晶体管 [P].

维杰伊·帕塔萨拉蒂 ;

苏吉特·巴纳吉 .

中国专利 :CN101789431A ,2010-07-28

[2]

VTS绝缘栅极双极晶体管 [P].

维杰伊·帕塔萨拉蒂 ;

苏吉特·巴纳吉 .

中国专利 :CN101840919A ,2010-09-22

[3]

绝缘栅极双极晶体管斩波器 [P].

冯沛 ;

潘天明 .

中国专利 :CN2159630Y ,1994-03-23

[4]

绝缘栅双极晶体管的制造方法 [P].

周贤达 ;

舒小平 ;

徐远梅 .

中国专利 :CN105762077A ,2016-07-13

[5]

双沟槽-栅极绝缘栅双极晶体管结构 [P].

胡军 .

中国专利 :CN104347689A ,2015-02-11

[6]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN109659359A ,2019-04-19

[7]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104282739A ,2015-01-14

[8]

集成无闭锁绝缘栅极双极晶体管 [P].

蔡军 .

中国专利 :CN101553932B ,2009-10-07

[9]

防短路的绝缘栅极双极晶体管模块 [P].

T·朗 ;

H·－R·策勒 .

中国专利 :CN1217409C ,2000-03-29

[10]

制造双极晶体管的方法 [P].

约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ;

塞巴斯蒂安·努汀克 ;

纪尧姆·L·R·博卡尔迪 ;

弗朗索瓦·纳耶 .

中国专利 :CN101529568A ,2009-09-09

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