具有氯掺杂纤芯的低损耗单模光纤

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780047161.8

申请日：

2017-07-27

公开(公告)号：

CN110073257A

公开(公告)日：

2019-07-30

发明(设计)人：

D·C·布克班德 M-J·李 S·K·米史拉 P·坦登

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

G02B6028

IPC分类号：

G02B6036

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐鑫;项丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/028 申请日:20170727
2019-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

具有氯掺杂的纤芯和低弯曲损耗的单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

S·K·米史拉 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN109601012A ,2019-04-09

[2]

具有氟和氯共掺杂芯区域的低损耗光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN113009619A ,2021-06-22

[3]

具有氟和氯共掺杂芯区域的低损耗光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN107810436B ,2018-03-16

[4]

具有氟和氯共掺杂芯区域的低损耗光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

P·坦登 .

美国专利 :CN113009619B ,2024-01-16

[5]

低损耗单模光纤 [P].

王见青 ;

沈一春 ;

秦钰 ;

蒋新力 ;

陈娅丽 ;

徐希凯 ;

周慧 ;

张俊逸 ;

张泽霖 .

中国专利 :CN117555068A ,2024-02-13

[6]

具有氯正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN108055866B ,2018-05-18

[7]

一种纯硅纤芯低损耗弯曲不敏感单模光纤 [P].

何祖源 ;

杜江兵 .

中国专利 :CN203786321U ,2014-08-20

[8]

一种纯硅纤芯低损耗弯曲不敏感单模光纤 [P].

何祖源 ;

杜江兵 .

中国专利 :CN103901533A ,2014-07-02

[9]

具有溴正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

S·B·道斯 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN109863436A ,2019-06-07

[10]

一种超低损耗单模光纤 [P].

周航 ;

王瑞春 ;

顾立新 ;

朱继红 ;

周新艳 ;

吴俊 ;

胡超 ;

邱文斌 .

中国专利 :CN115542454A ,2022-12-30

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