具有氯掺杂的纤芯和低弯曲损耗的单模光纤

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780047130.2

申请日：

2017-07-27

公开(公告)号：

CN109601012A

公开(公告)日：

2019-04-09

发明(设计)人：

D·C·布克班德 M-J·李 S·K·米史拉 P·坦登

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

G02B6036

IPC分类号：

G02B6028 G02B602

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐鑫;项丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	公开	公开
2020-01-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B 6/036 申请公布日:20190409

共 50 条

[1]

具有氯掺杂纤芯的低损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

S·K·米史拉 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN110073257A ,2019-07-30

[2]

具有氯正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN108055866B ,2018-05-18

[3]

具有溴正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

S·B·道斯 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN109863436A ,2019-06-07

[4]

低弯曲损耗单模光纤 [P].

K·W·贝内特 ;

D·C·伯克宾德 ;

D·L·巴特勒 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN110140070B ,2019-08-16

[5]

具有低截止波长和低弯曲损耗的单模光纤 [P].

S·R·别克汉姆 ;

M·汉姆普斯戴德 ;

S·K·米什拉 ;

S·Q·史密斯 ;

P·坦登 .

美国专利 :CN120604151A ,2025-09-05

[6]

低弯曲损耗单模光纤 [P].

S·R·别克汉姆 ;

D·C·布克班德 ;

M·-J·李 ;

S·K·米什拉 ;

D·A·诺兰 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN101523259B ,2009-09-02

[7]

具有掺氯芯体和偏移沟槽的低弯曲损耗光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

李明军 ;

S·K·米什拉 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN111033334B ,2020-04-17

[8]

低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤 [P].

张立永 ;

吴兴坤 ;

卢卫民 ;

杨军勇 .

中国专利 :CN101226258B ,2008-07-23

[9]

低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤 [P].

张立永 ;

吴兴坤 ;

卢卫民 ;

杨军勇 .

中国专利 :CN201060284Y ,2008-05-14

[10]

低宏弯曲损耗单模光纤 [P].

L·特鲁齐 ;

S·弗里格里奥 ;

R·安图尼斯·德·卡马古 .

中国专利 :CN103380389B ,2013-10-30

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