具有掺氯芯体和偏移沟槽的低弯曲损耗光纤

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880051797.4

申请日：

2018-08-05

公开(公告)号：

CN111033334B

公开(公告)日：

2020-04-17

发明(设计)人：

D·C·布克班德李明军 S·K·米什拉 P·坦登

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

G02B6028

IPC分类号：

G02B6036

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张璐;项丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/028 申请日:20180805
2020-04-17	公开	公开
2022-07-12	授权	授权

共 50 条

[1]

具有氯掺杂的纤芯和低弯曲损耗的单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

S·K·米史拉 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN109601012A ,2019-04-09

[2]

具有氯正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN108055866B ,2018-05-18

[3]

低弯曲损耗的光纤 [P].

高桥文雄 ;

森平英也 ;

渋田妙子 .

中国专利 :CN1576916A ,2005-02-09

[4]

具有大有效面积和低弯曲损耗的光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

李明军 ;

H·B·马修斯三世 ;

S·K·米什拉 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN107850728B ,2018-03-27

[5]

具有低弯曲损耗的宽带宽光纤 [P].

德尼·莫林 ;

玛丽安娜·比戈-阿斯特吕克 ;

皮埃尔·西亚尔 ;

昆·德容 ;

弗朗斯·古英杰 .

中国专利 :CN102621627B ,2012-08-01

[6]

具有低限制损耗和低弯曲损耗的全固体带隙光纤 [P].

童维军 ;

韩庆荣 ;

汪洪海 ;

韦会峰 .

中国专利 :CN100426023C ,2007-04-11

[7]

具有低截止波长和低弯曲损耗的单模光纤 [P].

S·R·别克汉姆 ;

M·汉姆普斯戴德 ;

S·K·米什拉 ;

S·Q·史密斯 ;

P·坦登 .

美国专利 :CN120604151A ,2025-09-05

[8]

具有深抑制环的低弯曲损耗光纤 [P].

S·R·别克汉姆 ;

D·C·布克班德 ;

M·-J·李 ;

S·K·米什拉 ;

D·A·诺兰 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN101523258A ,2009-09-02

[9]

具有溴正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

S·B·道斯 ;

李明军 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN109863436A ,2019-06-07

[10]

具有氟和氯共掺杂芯区域的低损耗光纤 [P].

D·C·布克班德 ;

M-J·李 ;

P·坦登 .

中国专利 :CN113009619A ,2021-06-22

← 1 2 3 4 5 →