三维NAND存储器及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202180003256.6
申请日
2021-08-26
公开(公告)号
CN113841239A
公开(公告)日
2021-12-24
发明(设计)人
张坤 周文犀
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
H01L271157
IPC分类号
H01L2711575 H01L2711582 H01L21033
代理机构
北京永新同创知识产权代理有限公司 11376
代理人
林锦辉;刘景峰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
三维NAND存储器及其制造方法 [P]. 
张坤 ;
周文犀 .
中国专利 :CN113841239B ,2024-07-26
[2]
三维NAND存储器及其制造方法 [P]. 
吴林春 ;
张坤 ;
周文犀 .
中国专利 :CN114846604A ,2022-08-02
[3]
三维NAND存储器及其制造方法 [P]. 
N·摩克里斯 ;
R·朔伊尔莱茵 .
中国专利 :CN101681884A ,2010-03-24
[4]
三维NAND存储器及其制造方法 [P]. 
黄非 ;
赵树东 .
美国专利 :CN120825944A ,2025-10-21
[5]
三维存储器及其制造方法 [P]. 
夏季 ;
霍宗亮 ;
周文斌 ;
徐伟 ;
黄攀 ;
徐文祥 .
中国专利 :CN110741475A ,2020-01-31
[6]
三维存储器器件及其制造方法 [P]. 
丁蕾 ;
高晶 ;
杨川 ;
喻兰芳 ;
严萍 ;
张森 ;
许波 .
中国专利 :CN113889480A ,2022-01-04
[7]
三维存储器装置及其制造方法 [P]. 
董宽 ;
张刚 ;
肖梦 ;
刘隆冬 ;
何舟 ;
王攀 ;
董金 ;
肖蒙 ;
刘力恒 .
中国专利 :CN119947100A ,2025-05-06
[8]
三维存储器器件及其制造方法 [P]. 
丁蕾 ;
高晶 ;
杨川 ;
喻兰芳 ;
严萍 ;
张森 ;
许波 .
中国专利 :CN110114876A ,2019-08-09
[9]
三维NAND存储器器件及其形成方法 [P]. 
王雄禹 ;
周毅 ;
张莉 ;
王新胜 ;
罗兴安 ;
张高升 ;
夏余平 ;
谢飞 .
中国专利 :CN113950742A ,2022-01-18
[10]
三维NAND存储器器件及其形成方法 [P]. 
王雄禹 ;
周毅 ;
张莉 ;
王新胜 ;
罗兴安 ;
张高升 ;
夏余平 ;
谢飞 .
中国专利 :CN113950742B ,2025-10-03