三维NAND存储器及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202180003248.1

申请日：

2021-08-26

公开(公告)号：

CN114846604A

公开(公告)日：

2022-08-02

发明(设计)人：

吴林春张坤周文犀

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L271157

IPC分类号：

H01L2711582 H01L2711524 H01L2711556

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

林锦辉;刘景峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20210826
2022-08-02	公开	公开

共 50 条

[1]

三维NAND存储器及其制造方法 [P].

张坤 ;

周文犀 .

中国专利 :CN113841239B ,2024-07-26

[2]

三维NAND存储器及其制造方法 [P].

张坤 ;

周文犀 .

中国专利 :CN113841239A ,2021-12-24

[3]

三维NAND存储器及其制造方法 [P].

N·摩克里斯 ;

R·朔伊尔莱茵 .

中国专利 :CN101681884A ,2010-03-24

[4]

三维NAND存储器及其制造方法 [P].

黄非 ;

赵树东 .

美国专利 :CN120825944A ,2025-10-21

[5]

三维存储器器件及其制造方法 [P].

丁蕾 ;

高晶 ;

杨川 ;

喻兰芳 ;

严萍 ;

张森 ;

许波 .

中国专利 :CN113889480A ,2022-01-04

[6]

三维存储器器件及其制造方法 [P].

丁蕾 ;

高晶 ;

杨川 ;

喻兰芳 ;

严萍 ;

张森 ;

许波 .

中国专利 :CN110114876A ,2019-08-09

[7]

三维NAND存储器器件及其形成方法 [P].

王雄禹 ;

周毅 ;

张莉 ;

王新胜 ;

罗兴安 ;

张高升 ;

夏余平 ;

谢飞 .

中国专利 :CN113950742A ,2022-01-18

[8]

三维NAND存储器器件及其形成方法 [P].

王雄禹 ;

周毅 ;

张莉 ;

王新胜 ;

罗兴安 ;

张高升 ;

夏余平 ;

谢飞 .

中国专利 :CN113950742B ,2025-10-03

[9]

三维NAND存储器的制造方法 [P].

王晶 ;

高晶 ;

肖胜安 ;

冉春明 .

中国专利 :CN104167392B ,2014-11-26

[10]

三维存储器及其制造方法 [P].

夏季 ;

霍宗亮 ;

周文斌 ;

徐伟 ;

黄攀 ;

徐文祥 .

中国专利 :CN110741475A ,2020-01-31

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