GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110190660.0

申请日：

2021-02-19

公开(公告)号：

CN113013289A

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

郝宏玥徐应强牛智川王国伟蒋洞微

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310304 H01L31102 H01L27144

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘歌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	公开	公开
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20210219

共 50 条

[1]

焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

牛智川 ;

王国伟 ;

蒋洞微 .

中国专利 :CN113130676A ,2021-07-16

[2]

台面型焦平面红外探测器及其制备方法 [P].

孔文超 ;

黄晟 ;

黄立 ;

甘志伟 .

中国专利 :CN120224838A ,2025-06-27

[3]

一种焦平面红外探测器结构 [P].

陈钢 ;

曾广锋 ;

高涛 .

中国专利 :CN215865505U ,2022-02-18

[4]

焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器 [P].

黄立 ;

严冰 ;

张冰洁 .

中国专利 :CN114639693B ,2025-06-10

[5]

焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器 [P].

黄立 ;

严冰 ;

张冰洁 .

中国专利 :CN114639693A ,2022-06-17

[6]

红外焦平面探测器 [P].

孟庆端 ;

张晓玲 ;

赵旭辉 ;

宋璐 ;

李娜 ;

司乐飞 .

中国专利 :CN105244355B ,2016-01-13

[7]

一种制冷型焦平面红外探测器件 [P].

谭启广 ;

李忠贺 ;

张轶 ;

吴卿 ;

赵建忠 .

中国专利 :CN118111565A ,2024-05-31

[8]

一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法 [P].

弭伟 ;

杨志茂 ;

王斌 ;

陈新荣 .

中国专利 :CN115411142A ,2022-11-29

[9]

一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法 [P].

弭伟 ;

杨志茂 ;

王斌 ;

陈新荣 .

中国专利 :CN115411142B ,2025-02-18

[10]

红外焦平面探测器 [P].

姜磊 ;

曾华雄 ;

诸银娟 .

中国专利 :CN307406939S ,2022-06-17

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